主要型號:
型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點:
A 可選擇三角波、矩形波、正弦波三種波形,波形的(de)蕞高值和蕞低值(zhí)可獨立設置(zhì)。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇手動控製/模擬量接(jiē)口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用進口(kǒu)IGBT或MOSFET作為(wéi)功率開關器(qì)件(jiàn),
體積小、重量(liàng)輕、功能全、性能穩定(dìng)可靠,生產(chǎn)工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝的重(chóng)複性,
並且具有(yǒu)抑製靶(bǎ)材弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既(jì)保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又提(tí)高了靶麵清洗速度;
主(zhǔ)要參數均可大範圍連(lián)續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口(kǒu)和RS485接口擴展功能,方便(biàn)實現自(zì)動化控製。
主要用途:
MS係(xì)列(liè)勵磁多波形電源選擇多種(zhǒng)電(diàn)壓(yā)波(bō)形輸(shū)出。通過驅動多弧靶外圍磁場線圈,產生周期性可變磁磁場,使(shǐ)多弧輝光由(yóu)原來的集中放電變為均勻(yún)放電,提高工件膜層質量

現在工業區,在範圍上擴展的是越來越廣,跟隨我們行業的發展(zhǎn),現在機械設備研發(fā)的是越來越多,當然啦,研發那麽多,在一些加工廠家肯定是要應用到的啦,在範(fàn)圍上,在數量上都不會(huì)少,現在我們來了解下真空鍍膜電源這(zhè)項項目吧!

1、在光學儀器中:人們熟悉(xī)的光學儀器(qì)有望遠鏡、顯微鏡、照(zhào)相機、測距儀(yí),以及日常生(shēng)活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它(tā)們(men)都離不開鍍膜技術,鍍製的(de)薄膜有反射膜、增透膜(mó)和吸收膜等幾種。
2、在信(xìn)息(xī)存儲(chǔ)領域中:薄膜材料作為信息記錄(lù)於存儲介質,有其得(dé)天獨厚的優勢:由於薄膜很薄,可以忽略渦流(liú)損耗;磁化反轉極為迅速;與膜麵平行的雙穩態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息,必然要采用鍍膜技術(shù)。
3、在傳感器方(fāng)麵:在傳感器(qì)中,多采用那些電氣性(xìng)質相對於物理量、化學量及其變(biàn)化來說,極為敏感的半導體材料(liào)。此外,其中,大多數利用的(de)是半導體的表麵、界麵的性質,需要盡量增大其麵積,且能工業化、低價格製作,因此,采(cǎi)用薄膜的情況很(hěn)多。
4、在集(jí)成電路製造中:晶體管路中的保護層(céng)(SiO2、Si3N4)、電極管線(多(duō)晶矽、鋁、銅及其合(hé)金)等,多是采用CVD技(jì)術(shù)、PVCD技(jì)術、真空蒸發金(jīn)屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積(jī)是製備集成(chéng)電路的核心技術之一。
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