MSB中頻磁控濺射真空鍍膜電源

主要型號：

主要特點（diǎn）：

   A 采用先進的（de）電流型開關（guān）電源技術，減小輸（shū）出儲能元件（jiàn），
同時提高（gāo）了抑製打火及重啟（qǐ）速度，應用在鋁（lǚ）靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功率模式（shì）可選。恒功率模式相對於傳統的（de）恒流模式，
更能保證鍍（dù）膜工藝的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動識別偽打火現象，
充分滿足磁控濺射工藝過程的連續（xù）性。
   D 主要參（cān）數（shù）可大範圍調節
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的（de）PWM脈寬調製技術（shù），使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量（liàng）輕、功能全、性能（néng）穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產（chǎn）品采用先進的（de）DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝的重複（fù）性，
並且具（jù）有抑製靶材弧（hú）光放（fàng）電及抗短路功能，
具（jù）有極佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗工（gōng）藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數均可大（dà）範圍連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口（kǒu）和RS485接口擴展功能，方便實現自動化控（kòng）製（zhì）。

MSB係列雙極脈衝磁控濺射電源（中頻（pín）電源）

主要用途：

雙（shuāng）極脈衝磁控濺射電源用於中頻（pín）孿生靶磁控濺金屬或非金屬材料，特（tè）別適合於反應磁控濺射。能增加離化率，減少電荷積累引起的異常放電，預防靶表麵中毒現象。

在真空鍍膜電源時，使用直（zhí）流負偏（piān）壓電源，其（qí）中運用直流電源，這個電源的電子方（fāng）向一直統一（yī），會導致單一品種電荷堆積過高與控製源中和。也就是說用來提供動力的正負極被中和了。然後磁控濺射將不再持續。所以選用脈（mò）衝（chōng）電源。

在真空中製備（bèi）膜層（céng），包含（hán）鍍（dù）製晶態的金屬、半導體、絕緣體等（děng）單質或化合物膜。雖然化學汽相堆積也選用（yòng）減壓、低（dī）壓或等離子體等真空（kōng）手（shǒu）法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法堆積薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍（dù）膜和離子鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年代（dài），四五十年（nián）代開端呈現工業使用，工業（yè）化（huà）大規（guī）模出產開端於20世紀80年代，在電（diàn）子、宇航、包（bāo）裝、裝潢、燙金印刷等工業中獲得廣（guǎng）泛的使用。真空鍍膜（mó）是指在真空環境（jìng）下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的（de）方式（shì）堆積到資（zī）料外表（通（tōng）常是非金屬資料（liào）），歸於物理（lǐ）氣（qì）相堆積工藝。由於鍍層常為金屬薄膜，故也稱（chēng）真（zhēn）空金屬化。廣義的真（zhēn）空鍍膜（mó）還包含在金屬或非（fēi）金屬資料外表真空蒸鍍聚合（hé）物等非金屬功用性薄膜。在所有被鍍資猜中（zhōng），以塑料樶為常見，其（qí）次，為紙張（zhāng）鍍膜。相對於金屬、陶瓷、木材等資料，塑料具有來（lái）曆充足、性能易於調控、加工方便等優勢，因此（cǐ）品種繁多（duō）的塑料或其他高分子資料作為工程裝修性結構資（zī）料，大量使用（yòng）於轎車、家電（diàn）、日用包裝、工藝裝修等工業領域（yù）。但塑料資料大多存在外（wài）表硬度不高、外觀不行華麗、耐磨性低等缺點（diǎn），如在塑料外表蒸（zhēng）鍍一層極薄的（de）金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可大大增加資（zī）料外表耐（nài）磨性能，大大拓寬了塑料的裝修性和使（shǐ）用範圍。

真（zhēn）空鍍膜的功用是多方麵的，這也決議了其使用場合非（fēi）常豐富。整體來說，真空鍍膜的主要功（gōng）用包含賦予被鍍件外表高度金屬光澤和鏡麵效果，在薄膜資料上（shàng）使膜層具（jù）有超（chāo）卓的隔絕性能，提供優異的電磁屏蔽和導電效果。